Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
double-junction semiconductor structure — puslaidininkinis darinys su dviem pn sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double junction semiconductor; double junction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei p n Übergängen, m rus. полупроводниковый прибор… … Radioelektronikos terminų žodynas
Semiconductor device modeling — creates models for the behavior of the electrical devices based on fundamental physics, such as the doping profiles of the devices. It may also include the creation of compact models (such as the well known SPICE transistor models), which try to… … Wikipedia
Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Double layer (interfacial) — A double layer (DL, also called an electrical double layer, EDL) is a structure that appears on the surface of an object when it is placed into a liquid. The object might be a solid particle, a gas bubble, a liquid droplet, or a porous body. The… … Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Halbleiter mit zwei p-n-Übergängen — puslaidininkinis darinys su dviem pn sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double junction semiconductor; double junction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei p n Übergängen, m rus. полупроводниковый прибор… … Radioelektronikos terminų žodynas
puslaidininkinis darinys su dviem pn sandūromis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double junction semiconductor; double junction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei p n Übergängen, m rus. полупроводниковый прибор с двумя p n переходами, m pranc. semi conducteur … Radioelektronikos terminų žodynas
semi-conducteur à deux jonctions — puslaidininkinis darinys su dviem pn sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double junction semiconductor; double junction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei p n Übergängen, m rus. полупроводниковый прибор… … Radioelektronikos terminų žodynas
полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами — puslaidininkinis darinys su dviem pn sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double junction semiconductor; double junction semiconductor structure vok. Halbleiter mit zwei p n Übergängen, m rus. полупроводниковый прибор… … Radioelektronikos terminų žodynas
